2017年5月16日，中科合创（北京）科技成果评价中心组织专家，在昆明召开了由云南大学完成的“Si基纳米光电子材料制备科学与性能研究”项目科技成果评价会，专家审阅了技术资料，听取了技术总结报告，经质询、答疑和讨论，形成如下评价意见：

　　1、技术资料齐全，数据翔实，符合科技成果评价要求。

　　2、成果率先提出了采用溅射技术制备高密度Ge量子点的方法，使得大规模生长Ge量子点光电子材料成为可能。

　　3、成果提出了一种Si离子注入改性发光技术，获得了与光纤低损耗窗口匹配的室温全硅发光材料。

　　4、在Eu3+和Tb3+离子共硅酸盐微晶玻璃中，实现了白光发射。采用导电原子力显微镜观察到Ge量子点的空穴共振隧穿效应。

　　5、成果发表论文73篇，其中SCI收录28篇，EI收录28篇；已获得6项发明专利授权。

　　综上所述，该成果研发了三类Si基发光材料，在Si材料的制备科学和光电性能领域创新性较强，总体达到国际先进水平。

　　建议：加强应用研究。

出席嘉宾名单

　　陈家林  贵研铂业股份有限公司研究员

　　张若岚  云南北方红外集团公司物理研究室研究员

　　雷　霆  昆明冶金专科学校教授

　　杨　斌  昆明理工大学教授

　　邱建备  昆明理工大学教授

　　王晓旭  云南省科学技术院研究员

　　秦　穆  云南省对外科技合作协会研究员