2023年4月28日，中科合创(北京)科技成果评价中心组织专家，在昆明召开了由云南师范大学完成的“高性能硅基薄膜及叠层结构关键技术在高效太阳电池中的应用”项目科技成果评价会。专家组审阅了技术完成方提供的资料，听取了技术总结报告，经质询、答疑和讨论，形成如下意见：

　　一、提供的资料齐备、完整，符合科技成果评价要求。

　　二、在国家自然科学基金云南联合基金、地区基金和云南省基础研究重点基金等项目支持下，系统开展了高性能硅基薄膜、减反射钝化膜材料和隧穿反射层材料的制备、隧穿层结构和叠层结构的设计与制作等研发工作，取得了系列创新性研究成果，主要发明点如下：

　　1、发明了不同形态的高性能硅基薄膜的制备技术。采用PECVD方法，通过工艺参数的优化，在低温下制备出高质量的氢化a-Si薄膜。结合Al诱导、Ge诱导和微波退火等实现了非晶硅薄膜的低温、快速晶化，并制备出带隙可控的多晶硅、微晶硅和纳米晶硅薄膜。

　　2、发明了复合减反射钝化层材料和隧穿层材料的制备技术。设计并制备了SiOx减反膜、SiNx减反膜、AlOx复合减反射钝化层薄膜，SiO_xN_y中间反射层、a-SiOx:Al和μc-SiOx:Al等系列隧穿反射层薄膜。其透过率、反射率、折射率和少子寿命等性能指标均优于常规的减反射钝化膜和隧穿反射层薄膜，揭示了硅基薄膜隧穿反射层结构、带隙及性能调控的相关机理，建立了隧穿层材料体系的设计和选择原则。

　　3、发明了隧穿反射层结构和叠层电池结构的制备方法。基于叠层电池的光谱响应范围，设计了Eg_(顶)>Eg_(中)>Eg_(低)的带隙渐变叠层结构，制作了a-Si:H/a-SiGe:H、a-Si:H/a-SiGe:H/a-SiGe:H、a-Si:H/μc-Si:H等硅基薄膜叠层结构，并分别获得了13.2%(双结)和14%(三结)的光电转换效率。提出了隧穿反射层概念，创新设计并制作了隧穿层结构及其相关材料，建立了Solar Cell₁/TRR₁/Solar Cell₂/TRR₂/Solar Cell₃的多结叠层结构，该隧穿层结构和叠层结构可有效解决叠层电池内部的陷光问题和光生载流子的有效收集问题。

　　三、技术成果解决了若干企业PERC、IBC、HBC和HJT等高效硅基太阳电池中相关材料、隧穿反射层和叠层结构等多项关键技术，有效提升了电池的光电转换效率，相关企业三年新增销售额累计为4311.94万元，新增利润达1081.19万元。

　　四、相关技术已获授权国家发明专利8件，获国家、省部级项目共3项，在国内外核心期刊发表学术论文30余篇。晋升高级技术职称2人、入选“兴滇英才计划”云岭学者1人、“春城计划”科技领军人才1人、云南省中青年学术技术带头人后备人才1人、昆明市首批“春城产业导师”1人，培养博士生3名、硕士生5名。

　　综上，专家组一致认为该成果技术难度大，创新性强，拥有多项具有自主知识产权的专利技术，总体达到国际先进水平，与会专家一致同意通过科技成果评价。

专家组成员

　　褚君浩　中国科学院院士、复旦大学教授

　　苏君红　中国工程院院士、中国兵器工业昆明物理研究所研究员

　　李东栋　张江实验室研究员

　　杨新波　苏州大学教授

　　杨　宇　云南大学教授

　　邱建备　昆明理工大学院长、教授

　　陈　菓　云南民族大学教授