技术需求：

1、铸造单晶技术主要利用铸锭炉，定向生长方式生产准单晶硅片，具体技术要求如下：

1) 单晶面积占整个大锭面积290%;

2) 硅料一次利用率265%;

3) 单晶籽晶板重复利用次数22次;

4) 整锭光电转换效率220% (结合PREC工艺);

2、低光衰、髙电阻分布均匀度的两元/三元共掺技术 主要利用B-Ga或者B-P-Ga三元共掺技术，获得低光衰、髙电 阻分布均匀度的高效多晶硅片，具体技术指标如下：

1) 利用两元/三元共掺技术，利用PREC工艺电池光衰 <1.5%;

2) 硅片整锭电阻要求控制在1?3Q_cm，其中l?1.8Q_cm硅片 占80%以上;

3) 利用PREC工艺，整点光电转换效率220%。