主要内容：

通过该技术的研发，为大规模集成电路芯片SOS(Silicon on Sapphire)提供量产化、高质量的大尺寸蓝宝石抛光片。

技术指标：

1)一次抛光加工6寸晶片24片以上;

2)6寸晶片整盘厚度差≤7μm;

3)晶片表面粗糙度≤0.15nm;

4)翘曲度(BOW)≤10μm;

5)平整度(Warp)≤10μm;

6)无崩边;