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“低维纳米半导体材料的光电与气敏特性研究”项目通过科技成果评价

2023.05.04

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科技成果评价

  2023年4月27日,中科合创(北京)科技成果评价中心组织专家,在昆明召开了由云南师范大学完成的“低维纳米半导体材料的光电与气敏特性研究”项目科技成果评价会。专家审阅了项目方提供的资料,听取了技术总结报告,经质询、答疑和讨论,形成如下意见:

  一、项目成果资料齐全规范、数据丰富翔实,符合科技成果评价要求。

  二、为解决多波段、宽频带探测和高温气敏传感器的偏析和不稳定性等问题,揭示其物理机制,该项目在6个国家自然科学基金项目和4个省部级基金项目的支持下,团队历时20余年持续的研究,围绕波长连续可调的激射增益材料的设计与制备、杂化异质结双波段光电探测器的研制、高性能金属氧化物及其掺杂物气敏器件设计等方面取得了一系列原创性成果,重要科学发现如下:

  1. 创新性地开发了热蒸发与激光烧蚀蒸发相结合的方法,成功制备了ZnxCd1-xS纳米带连续波长激射材料和光电探测材料,获得了高性能的连续波长光电探测器和铒掺杂的CdS纳米带三波段光电探测器。

  2. 率先研究了一维(1D)有机钙钛矿微米线阵列/CdSe纳米带杂化异质结双波段光电探测器,极大地提高了探测器的明暗电流比、外量子转化效率和探测率,为研发双波段光电探测器提供新方法。利用密度泛函理论系统研究了杂化结构的界面电子结构和光吸收谱,揭示光电探测的物理机制。

  3. 发明“改进型熔盐法”制备一维金属氧化物纳米结构,发现了由于对称性破缺导致的小尺寸二氧化锡纳米棒具有高达119cm-1的宽带红外吸收平台和低频拉曼峰。

  4. 为解决气敏探测器高温偏析问题和探测的可靠性、稳定性问题,开创性地研究了高温(>1200 oC)生长的掺杂二氧化锡单片纳米带的气敏特性,突破室温下H2S气体100 ppb高灵敏探测。

  发表论文85篇,20篇核心论文影响因子138.8,其中8篇代表性论文累计影响因子80.7,被SCI他引685次,单篇最高他引174次,授权专利10件;成果被中科院院士俞书宏、中科院院士、英国皇家化学会会士李永舫院士团队、美国国家工程院院士Unyong Jeong、世界陶瓷科学院院士、美国陶瓷学会会士Yoshio Bando、韩国科学技术研究院院士Jong-Heun Lee等国内外专家学者引用,并给予高度评价;项目组成员1人入选“教育部新世纪优秀人才支持计划”,5人入选“云南省兴滇英才支持计划”。

  综上所述,专家组一致认为该项目总体达到国内领先、国际先进水平。

专家组成员

  宋凤麒 南京大学教授、杰出青年

  李 亮 苏州大学教授、杰出青年

  杨 宇 云南大学教授

  臧 健 云南冶金集团教授级高级工程师

  陈 菓 云南民族大学教授

  蔡金明 昆明理工大学教授

  兰尧中 云南大学教授

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